در نانو ترنزیستورهای دهه اخیر، Si(100) به عنوان یک زیرلایه یا بستر مناسب به کار می رود. مسائلی نظیر افزایش جریان تونلی و نشتی با کاهش اندازه قطعات الکترونیکی و بویژه ترانزیستورهای اثر میدانی سبب شده است تا امکان به کارگیری بیشتر آن مورد تردید قرار گیرد. به همین دلیل در کار حاضر تلاش شده است تا با انجام یک سری از آزمایشات و رشد فیلم های فرانازک بر روی هر دو زیرلایه Si(100) و Si(111) به بررسی نانوساختاری فیلم های مزبور پرداخته و امکان جایگزینی Si(100) با Si(111) مورد مطالعه قرار گیرد. نتایج به دست آمده در کار حاضر نشان می دهد که Si(111) با درگاه دی الکتریک های نیتریدی مناسب تر است.

در نظریه­های متفاوت گرانش کوانتومی از قبیل نظریۀ ریسمان، نسبیت خاص دوگانه و فیزیک سیاه چاله ها، وجود یک طول کمینه از درجۀ بزرگی مقیاس طول پلانک مطرح می­شود. برای اعمال این طول کمینه در مکانیک کوانتمی معمولی لازم است که اصل عدم قطعیت معمول هایزنبرگ اصلاح شده و تعمیم یابد. در این روش تکانۀ سیستم اصلاح می­شود و هامیلتونی عباراتی اضافی به دست می­آورد. بنابراین، با فرض وجود طول کمینه، انتظار می­رود طیف انرژی هر سیستم فیزیکی تصحیح شود. در این مقاله، این اثرات بر سطوح انرژی پتانسیل نمایی در حالت پایه با اعمال روش اختلالی مورد بررسی قرار می­گیرد. به­عنوان یکی از متداول­ترین موارد استفاده از پتانسیل نمایی، توصیف حالت مقید دوترون با استفاده از آن است. در اینجا، تصحیح طیف انرژی دوترون با فرض وجود کمینه­طول، محاسبه می شود‏.

در این مقاله، با به کارگیری رهیافت توابع گرین تابع توزیع سه بعدی دمای لیزر القاییده در یک محیط مادی که بنا به روش طیف نمایی جا به جایی گرمانوری، توسط یک چشمه لیزری موج پیوسته مدوله شده برتابیده می شود را تعیین کرده ایم و ویژگیهای آن را مورد مطالعه قرار داده ایم. تابع توزیع مزبور که به ویژگیهای چشمه لیزری، مانند توان، بسامد مدولاسیون و شعاع باریکه لیزری، و نیز مشخصه های اپتیکی و گرمایی ماده برتابیده و محیط اطراف آن، مانند ضریب جذب اپتیکی و ضرایب رسانندگی و پخش گرمایی، وابسته است از خود رفتاری شبیه به یک موج گرمایی میراشونده نشان می دهد. علاوه براین، تابع توزیع مزبور را برای یک نمونه معین (GaAs) به روش عددی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج به دست آمده نشان می دهند که تغییر بسامد مدولاسیون تاثیر چندانی بر رفتار کلی انتشار موج گرمایی ندارد. از سوی دیگر معلوم شده است که افزایش بسامد مدولاسیون علاوه بر اینکه موجب کاهش دمای سطح نمونه می گردد، میرابی سیگنال گرما نوری را نیز سرعت می بخشد.

فرضیه : استفاده از پلاسما به عنوان روشی برای تغییرات سطوح پلیمر کاربردهای فراوانی دارد. استفاده از پلاسمای سرد فشار جو به دلیل سادگی و نیازنداشتن به تجهیزات گران قیمت، از برتری های بیشتری نسبت به سایر روش های پلاسما، لیزر و پرتو X برخوردار است. با توجه به کاربردهای زیاد پلی اتیلن در صنعت، بررسی تغییرات آن در اثر پلاسمای سرد می تواند مؤثر باشد. روش ها: در این پژوهش، از پلاسمای تخلیه سد دی الکتریک (DBD) فشار جو برای افزایش ماهیت آب گریزی پلی اتیلن کم چگالی (LDPE)، استفاده شد. پس از مطالعه طیف گسیل نوری (OES) پلاسمای تولید شده، آثار آن در تغییرات سطحی و عمقی همچون شکل شناسی سطح، ترکیب شیمیایی و ساختار بلوری پلیمر با میکروسکوپی الکترونی پویشی گسیل میدانی (FE-SEM)، طیف نمایی زیرقرمز تبدیل فوریه بازتاب کلی تضعیف شده (ATR-FTIR)، پراش پرتو X (XRD) و طیف نمایی طول عمر پوزیترون (PALS) مطالعه شد. همچنین از آزمون زاویه تماس به منظور بررسی تغییرات در آب گریزی پلیمر استفاده شد.یافته ها: از داده های ATR-FTIR و XRD مشخص شد، تابش پلاسما به مدت s 180 در محدوده عمق چند نانومتری سطح پلی اتیلن اثر داشته است و تغییر شایان توجهی در پیوندهای شیمیایی و ساختار بلوری پلیمر ایجاد نمی کند. به عبارتی می توان از تابش پلاسما برای اصلاح نانومتری سطح استفاده کرد. از طرفی تصاویر SEM نشان می دهد، تابش پلاسما سطح صاف پلیمر اولیه را به سطحی پر از منافذ تبدیل می کند. نتایج آزمون زاویه تماس ضمن تأیید این موضوع، بیشترشدن آب گریزی پلیمر پس از تابش پلاسما را نشان می دهد. نتایج طیف نمایی PALS نیز نشان می دهد، در عمق های میکرومتری به دلیل افزایش ناگهانی دما هنگام تابش پلاسما، حجم آزاد ماده به دلیل ترکیب تک حفره ها با یکدیگر، بزرگ تر می شود.

نانو ذرات فسفر قرمز بر سطح سلول خورشیدی سیلیکونی به روش لایه نشانی تبخیر حرارتی فیزیکی (چگالش بر روی سطح سلول از فاز بخار) سنتز شد. لایه نشانی فسفر قرمز بر سطح سلول ها چندین بار با ضخامت های مختلفی از لایه ی فسفر تکرار شد و بعد از هر مرحله لایه نشانی بازده سلول خورشیدی سیلیکونی اندازه گیری شد. نتایج نشان داد که بعد لایه نشانی 340 نانومتر فسفر بازده سلول از 86/5 به 08/7 درصد افزایش یافته و حدود 21 درصد افزایش بازده نسبی حاصل شده است. علاوه بر آن نتایج طیف جذبی و فوتولومینسانس لایه ها نشان داد نانوذرات فسفر قرمز نور فرابنفش را جذب کرده و نور مرئی علاوه بر فرابنفش گسیل کرده اند. به عبارت دیگر لایه ی فسفر نور فرابنفش را به ناحیه ی طول موج مرئی جابجا می نماید. در این تحقیق از سلول خورشیدی سیلیکونی تک بلوری برای افزایش بازده استفاده شد و فسفر قرمز آمورف به روش تبخیر حرارتی فیزیکی بر سطح سلول خورشیدی سیلیکونی لایه نشانی شد. همچنین برای انجام طیف سنجی نوری، لام شیشه ای در کنار سلول ها در هر مرتبه لایه نشانی قرار داده شد. نتایج طیف سنجی نوری لایه های فسفر همچنین نشان داد میزان عبور نور فرابنفش در نمونه ی دارای 340 نانومتر لایه ی فسفر نسبت به نمونه ی دارای 50 نانومتر لایه ی فسفر کمتر است و برعکس میزان جذب نور بیشتر است، به عبارت دیگر لایه های ضخیم تر فسفر نور فرابنفش را کمتر عبور می دهند و بیشتر جذب می کنند.

لطفا برای مشاهده چکیده به متن کامل (PDF) مراجعه فرمایید.

همگام با گسترش دانش پزشکی در زمینه درمان ناباروری زوجین، مسائلی فقهی و حقوقی پیرامون آن در ذهن ایجاد می شود. با عنایت به این مهم که «ارث» از جمله حقوق مدنی حمل به شمار می رود، لذا این سوال مطرح می شود که کودک متولدشده از اقسام تکنیک های باروری از لحاظ وراثت چه وضعیتی خواهد داشت؟ بنابراین هدف از این پژوهش، نقد و بررسی حکم ارث حمل در طیف تکنیک های نوین باروری از منظر فقه و حقوق می باشد.روش اصلی گردآوری مطالب، روش کتابخانه ای و اسنادی می باشد و شیوه ی نوشتار حاضر، توصیفی – استدلالی و تحلیلی – تفسیری است.نتایج حاصله بیانگر آن است که نسب از جمله موجبات تحقق ارث به شمار می رود و با توجه به این که منشا نسب، تکون انسان از ترکیب نطفه زن و مرد است، نسب حمل در تکنیک های نوین باروری به صاحبان اسپرم و تخمک ملحق می شود و ارث هم میان آنان برقرار خواهد بود.در تکنیک نوظهور پیوند تخمدان یا پیوند بیضه پس از انجام پیوند، عضو الحاقی به منزله ی عضو اصلی بدن گیرنده عضو محسوب می شود و از آنجا که پس از پیوند، تخمک یا اسپرم در بدن گیرنده عضو ایجاد می شود لذا نسب کودک پدیدآمده از این تکنیک به زوجین مذکور برمی گردد و ارث میان آنها مانند سایر اولادشان برقرار است.